Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering

The authors investigate how and why defects influence the inverse characteristics of varactors. The paper presents experimental results on the effect laser gettering has on the electrical parameters of varactors. The mechanisms of the laser gettering effect on the parameters of varactors are analyze...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	Vikulin, I.M., Litvinenko, V.N., Shutov, S.V., Maronchuk, A.I., Demenskiy, A.N., Glukhova, V.I.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Назва видання:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:	Технологические процессы и оборудование
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140622
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering / I.M. Vikulin, V.N. Litvinenko, S.V. Shutov, A.I. Maronchuk, A.N. Demenskiy, V.I. Glukhova // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 29-32. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-140622
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1406222018-07-13T01:22:50Z Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering Vikulin, I.M. Litvinenko, V.N. Shutov, S.V. Maronchuk, A.I. Demenskiy, A.N. Glukhova, V.I. Технологические процессы и оборудование The authors investigate how and why defects influence the inverse characteristics of varactors. The paper presents experimental results on the effect laser gettering has on the electrical parameters of varactors. The mechanisms of the laser gettering effect on the parameters of varactors are analyzed. Варикапи широко використовуються в радіоелектроніці як змінна ємність, величина якої управляється напругою. Основними параметрами варикапа є його добротність, номінальна ємність, зворотний струм і коефіцієнт перекриття по ємності, який визначає частотний діапазон використання варикапа. Розробка варикапів зі зворотним градієнтом концентрації домішки в базі дала можливість значно збільшити коефіцієнт перекриття по ємності. При цьому, однак, виникла проблема, пов'язана з низьким виходом придатних приладів через розкид значень номінальної ємності структур по площі пластини, а також високого рівня їх зворотних струмів. Робота присвячена дослідженню впливу структурних дефектів на параметри кремнієвого варикапа зі зворотним градієнтом концентрації домішки в базі і можливості застосування лазерного гетерування для поліпшення його параметрів і підвищення виходу придатних приладів. Встановлено, що головною причиною низького відсотка виходу придатних досліджуваних варикапів є окислювальні дефекти упакування (ОДУ), що утворюються в активних областях структур в процесах проведення високотемпературних операцій. Детально розглянута запропонована технологія виготовлення структур варикапів з лазерним гетеруванням, а також особливості створення області гетера на зворотному боці пластин. Приведено експериментальні результати досліджень впливу лазерного гетерування на електричні параметри варикапів. Показано, що застосування розробленої технології дозволяє запобігти або істотно зменшити щільність ОДУ в активних областях структур, що дає можливість знизити рівень зворотних струмів і зменшити розкид значень номінальної ємності варикапів по площі пластини і, як наслідок, підвищити вихід придатних приладів. Работа посвящена исследованию влияния структурных дефектов на параметры кремниевого варикапа с обратным градиентом концентрации примеси в базе и возможности применения лазерного геттерирования для улучшения его параметров и повышения выхода годных приборов. Установлено, что главной причиной низкого процента выхода годных исследуемых варикапов являются окислительные дефекты упаковки (ОДУ), образующиеся в активных областях структур в процессах проведения высокотемпературных операций. Подробно рассмотрена предложенная технология изготовления структур варикапов с лазерным геттерированием, а также особенности создания области геттера на обратной стороне пластин. Приведены экспериментальные результаты исследований влияния лазерного геттерирования на электрические параметры варикапов. Показано, что применение разработанной технологии позволяет предотвратить или существенно уменьшить плотность ОДУ в активных областях структур, дает возможность снизить уровень обратных токов и уменьшить разброс значений номинальной емкости варикапов по площади пластины и, как следствие, повысить выход годных приборов. 2018 Article Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering / I.M. Vikulin, V.N. Litvinenko, S.V. Shutov, A.I. Maronchuk, A.N. Demenskiy, V.I. Glukhova // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 29-32. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.2.29 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140622 621.382.28 en Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	English
topic	Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование
spellingShingle	Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование Vikulin, I.M. Litvinenko, V.N. Shutov, S.V. Maronchuk, A.I. Demenskiy, A.N. Glukhova, V.I. Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description	The authors investigate how and why defects influence the inverse characteristics of varactors. The paper presents experimental results on the effect laser gettering has on the electrical parameters of varactors. The mechanisms of the laser gettering effect on the parameters of varactors are analyzed.
format	Article
author	Vikulin, I.M. Litvinenko, V.N. Shutov, S.V. Maronchuk, A.I. Demenskiy, A.N. Glukhova, V.I.
author_facet	Vikulin, I.M. Litvinenko, V.N. Shutov, S.V. Maronchuk, A.I. Demenskiy, A.N. Glukhova, V.I.
author_sort	Vikulin, I.M.
title	Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
title_short	Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
title_full	Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
title_fullStr	Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
title_full_unstemmed	Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
title_sort	enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	2018
topic_facet	Технологические процессы и оборудование
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140622
citation_txt	Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering / I.M. Vikulin, V.N. Litvinenko, S.V. Shutov, A.I. Maronchuk, A.N. Demenskiy, V.I. Glukhova // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 29-32. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
series	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv	AT vikulinim enhancingparametersofsiliconvaractorsusinglasergettering AT litvinenkovn enhancingparametersofsiliconvaractorsusinglasergettering AT shutovsv enhancingparametersofsiliconvaractorsusinglasergettering AT maronchukai enhancingparametersofsiliconvaractorsusinglasergettering AT demenskiyan enhancingparametersofsiliconvaractorsusinglasergettering AT glukhovavi enhancingparametersofsiliconvaractorsusinglasergettering
first_indexed	2023-10-18T21:23:04Z
last_indexed	2023-10-18T21:23:04Z
_version_	1796152668513632256

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering

Репозитарії

Схожі ресурси