Миниатюрные полупроводниковые преобразователи для измерения импульсных давлений
Предложены способы повышения эффективности использования датчиков давления с чувствительными элементами из нитевидных кристаллов GaAs и Te.
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 1998 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140784 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Миниатюрные полупроводниковые преобразователи для измерения импульсных давлений / Р.И. Байцар, С.С. Варшава, В.Ф. Чекурин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 46-50. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |