Миниатюрные полупроводниковые преобразователи для измерения импульсных давлений
Предложены способы повышения эффективности использования датчиков давления с чувствительными элементами из нитевидных кристаллов GaAs и Te.
Збережено в:
Дата: | 1998 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140784 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Миниатюрные полупроводниковые преобразователи для измерения импульсных давлений / Р.И. Байцар, С.С. Варшава, В.Ф. Чекурин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 46-50. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |