2025-02-23T19:15:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-140787%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T19:15:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-140787%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T19:15:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T19:15:52-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала

Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала

Разработана технология формирования тонкопленочных конденсаторов на основе базовых слоев β-тантала ионным распылением танталовой мишени при одновременном легировании элементами Iб, IIб, III, IV, Vа, VIа, VIIа, VIIIа Периодической системы. Такие тонкопленочные элементы конденсаторов могут быть исполь...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Буджак, Я.С., Новосядлый, С.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Депонированные рукописи
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140787
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Разработана технология формирования тонкопленочных конденсаторов на основе базовых слоев β-тантала ионным распылением танталовой мишени при одновременном легировании элементами Iб, IIб, III, IV, Vа, VIа, VIIа, VIIIа Периодической системы. Такие тонкопленочные элементы конденсаторов могут быть использованы при формировании структур активных RC-фильтров и динамических оперативных запоминающих устройств произвольной выборки.

Similar Items