Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала
Разработана технология формирования тонкопленочных конденсаторов на основе базовых слоев β-тантала ионным распылением танталовой мишени при одновременном легировании элементами Iб, IIб, III, IV, Vа, VIа, VIIа, VIIIа Периодической системы. Такие тонкопленочные элементы конденсаторов могут быть исполь...
Збережено в:
Дата: | 1998 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140787 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала / Я.С. Буджак, С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 62. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-140787 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1407872018-07-16T01:23:00Z Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала Буджак, Я.С. Новосядлый, С.П. Депонированные рукописи Разработана технология формирования тонкопленочных конденсаторов на основе базовых слоев β-тантала ионным распылением танталовой мишени при одновременном легировании элементами Iб, IIб, III, IV, Vа, VIа, VIIа, VIIIа Периодической системы. Такие тонкопленочные элементы конденсаторов могут быть использованы при формировании структур активных RC-фильтров и динамических оперативных запоминающих устройств произвольной выборки. 1998 Article Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала / Я.С. Буджак, С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 62. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140787 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Депонированные рукописи Депонированные рукописи |
spellingShingle |
Депонированные рукописи Депонированные рукописи Буджак, Я.С. Новосядлый, С.П. Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
description |
Разработана технология формирования тонкопленочных конденсаторов на основе базовых слоев β-тантала ионным распылением танталовой мишени при одновременном легировании элементами Iб, IIб, III, IV, Vа, VIа, VIIа, VIIIа Периодической системы. Такие тонкопленочные элементы конденсаторов могут быть использованы при формировании структур активных RC-фильтров и динамических оперативных запоминающих устройств произвольной выборки. |
format |
Article |
author |
Буджак, Я.С. Новосядлый, С.П. |
author_facet |
Буджак, Я.С. Новосядлый, С.П. |
author_sort |
Буджак, Я.С. |
title |
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала |
title_short |
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала |
title_full |
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала |
title_fullStr |
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала |
title_full_unstemmed |
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала |
title_sort |
формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
1998 |
topic_facet |
Депонированные рукописи |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140787 |
citation_txt |
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала / Я.С. Буджак, С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 62. — рос. |
series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
work_keys_str_mv |
AT budžakâs formirovanietonkoplenočnogodiélektrikanaosnovebtantala AT novosâdlyjsp formirovanietonkoplenočnogodiélektrikanaosnovebtantala |
first_indexed |
2023-10-18T21:23:26Z |
last_indexed |
2023-10-18T21:23:26Z |
_version_ |
1796152685290848256 |