Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів

Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів

Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено процесами пе...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автор: Гайдар, Г.П.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2018
Назва видання:Доповіді НАН України
Теми:
Фізика
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/141178
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 6. — С. 58-66. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-141178
record_format dspace
spelling irk-123456789-1411782018-08-09T01:22:42Z Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів Гайдар, Г.П. Фізика Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено процесами перебудови домішкових комплексів у сильно легованих кристалах германію, вирощених методом Чохральського. Установлены особенности изменений электрофизических параметров и микроструктуры легированных примесью мышьяка монокристаллов n-Ge, которые происходили при термоотжигах в широком интервале температур. Полученные зависимости концентрации и подвижности носителей заряда от температуры отжига объяснено процессами перестройки примесных комплексов в сильно легированных кристаллах германия, выращенных методом Чохральского. Specific features of variations in the electrophysical parameters and microstructure of n-Ge single crystals doped with the arsenic impurity that occur during thermal annealings in a wide temperature range are established. The obtained dependences of the concentration and mobility of charge carriers on the annealing temperature are explained by the processes of restructuring of impurity complexes in the strongly doped germanium crystals grown by the Czochralski method. 2018 Article Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 6. — С. 58-66. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2018.06.058 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/141178 621.315.592.3 uk Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Фізика
Фізика
spellingShingle Фізика
Фізика
Гайдар, Г.П.
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
Доповіді НАН України
description Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено процесами перебудови домішкових комплексів у сильно легованих кристалах германію, вирощених методом Чохральського.
format Article
author Гайдар, Г.П.
author_facet Гайдар, Г.П.
author_sort Гайдар, Г.П.
title Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
title_short Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
title_full Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
title_fullStr Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
title_full_unstemmed Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
title_sort зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-ge 〈as〉 під впливом термовідпалів
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
publishDate 2018
topic_facet Фізика
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/141178
citation_txt Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 6. — С. 58-66. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.
series Доповіді НАН України
work_keys_str_mv AT gajdargp zmínaelektrofízičnihvlastivostejsilʹnolegovanihmonokristalívngeaspídvplivomtermovídpalív
first_indexed 2023-10-18T21:24:17Z
last_indexed 2023-10-18T21:24:17Z
_version_ 1796152721643929600

Схожі ресурси