2025-02-22T10:09:28-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-141178%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T10:09:28-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-141178%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T10:09:28-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T10:09:28-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено процесами пе...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2018
|
| Series: | Доповіді НАН України |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/141178 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| id |
irk-123456789-141178 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1411782018-08-09T01:22:42Z Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів Гайдар, Г.П. Фізика Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено процесами перебудови домішкових комплексів у сильно легованих кристалах германію, вирощених методом Чохральського. Установлены особенности изменений электрофизических параметров и микроструктуры легированных примесью мышьяка монокристаллов n-Ge, которые происходили при термоотжигах в широком интервале температур. Полученные зависимости концентрации и подвижности носителей заряда от температуры отжига объяснено процессами перестройки примесных комплексов в сильно легированных кристаллах германия, выращенных методом Чохральского. Specific features of variations in the electrophysical parameters and microstructure of n-Ge single crystals doped with the arsenic impurity that occur during thermal annealings in a wide temperature range are established. The obtained dependences of the concentration and mobility of charge carriers on the annealing temperature are explained by the processes of restructuring of impurity complexes in the strongly doped germanium crystals grown by the Czochralski method. 2018 Article Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 6. — С. 58-66. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2018.06.058 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/141178 621.315.592.3 uk Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Фізика Фізика |
| spellingShingle |
Фізика Фізика Гайдар, Г.П. Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів Доповіді НАН України |
| description |
Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані
залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено процесами перебудови домішкових комплексів у сильно легованих кристалах германію, вирощених методом Чохральського. |
| format |
Article |
| author |
Гайдар, Г.П. |
| author_facet |
Гайдар, Г.П. |
| author_sort |
Гайдар, Г.П. |
| title |
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів |
| title_short |
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів |
| title_full |
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів |
| title_fullStr |
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів |
| title_full_unstemmed |
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів |
| title_sort |
зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-ge 〈as〉 під впливом термовідпалів |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| publishDate |
2018 |
| topic_facet |
Фізика |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/141178 |
| citation_txt |
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 6. — С. 58-66. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
| series |
Доповіді НАН України |
| work_keys_str_mv |
AT gajdargp zmínaelektrofízičnihvlastivostejsilʹnolegovanihmonokristalívngeaspídvplivomtermovídpalív |
| first_indexed |
2023-10-18T21:24:17Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:24:17Z |
| _version_ |
1796152721643929600 |