Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту

• Дата: 2016
• Автори: Сербенюк, Т.Б., Пріхна, Т.О., Свердун, В.Б., Часник, В.І., Ковиляєв, В.В., Dellith, J., Мощіль, В.Є., Шаповалов, А.П., Марченко, А.А., Полікарпова, Л.О.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2016
• Назва видання: Сверхтвердые материалы
• Теми: Получение, структура, свойства
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/143852
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту / Т.Б. Сербенюк, Т.О. Пріхна, В.Б. Свердун, В.І. Часник, В.В. Ковиляєв, J. Dellith, В.Є. Мощіль, А.П. Шаповалов, А.А. Марченко, Л.О. Полікарпова // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 4. — С. 30-41. — Бібліогр.: 29 назв. — укр.

Досліджено композиційні матеріали AlN–SiC–Y₃Al₅O₁₂ з високим рівнем поглинання НВЧ-випромінювання (27–65 дБ/см), одержані методом вільного спікання сумішей 46 % (за масою) AlN(2Н), 4 % (за масою) Y₂O₃ і 50 % (за масою) SiC(6Н) з використанням SiC різних дисперсностей (1, 5 і 50 мкм). Показано, що пи...