Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей

Изучены фотоэлектрохимические процессы на GaAs–электродах и электродах на основе наноразмерных частиц CdSe после их наноструктурирования в растворах, содержащих ионы Zn²⁺ и S²⁻. Показано, что наноструктурирование электродов при­водит к увеличению их фоточувствительности, что связано с уменьшением ск...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2007
Автори: Слободянюк, И.А., Русецкий, И.А., Колбасов, Г.Я.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2007
Назва видання:Поверхность
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146650
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей / И.А. Слободянюк, И.А. Русецкий, Г.Я. Колбасов // Поверхность. — 2007. — Вип. 13. — С. 364-369. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine