Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей
Изучены фотоэлектрохимические процессы на GaAs–электродах и электродах на основе наноразмерных частиц CdSe после их наноструктурирования в растворах, содержащих ионы Zn²⁺ и S²⁻. Показано, что наноструктурирование электродов приводит к увеличению их фоточувствительности, что связано с уменьшением ск...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2007
|
| Назва видання: | Поверхность |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146650 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей / И.А. Слободянюк, И.А. Русецкий, Г.Я. Колбасов // Поверхность. — 2007. — Вип. 13. — С. 364-369. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-146650 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1466502019-02-11T01:23:25Z Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей Слободянюк, И.А. Русецкий, И.А. Колбасов, Г.Я. Нанотехнологии на наноматериалы Изучены фотоэлектрохимические процессы на GaAs–электродах и электродах на основе наноразмерных частиц CdSe после их наноструктурирования в растворах, содержащих ионы Zn²⁺ и S²⁻. Показано, что наноструктурирование электродов приводит к увеличению их фоточувствительности, что связано с уменьшением скорости поверхностной рекомбинации и фотокатодной реакции с участием поверхностных электронных состояний. Исследованные материалы перспективны для применения в качестве фотоанодов фотоэлектрохимической системы с накоплением водорода. Photoelectrochemical processes on GaAs-electrodes and electrodes on a basis nanodimensional particles CdSe after them nanostructuring in the solutions containing ions Zn²⁺ and S²⁻ are studied. It is shown, that nanostructuring electrodes result leads to increase in their photosensitivity that is related to reduction of velocity of the surface recombination and the photocathode reaction with participation of the surface electronic states. The explored materials are perspective for application as photoanodes of photoelectrochemical system with hydrogen accumulation. 2007 Article Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей / И.А. Слободянюк, И.А. Русецкий, Г.Я. Колбасов // Поверхность. — 2007. — Вип. 13. — С. 364-369. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2617-5975 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146650 544.52 : 541.138 : 621.352 ru Поверхность Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Нанотехнологии на наноматериалы Нанотехнологии на наноматериалы |
| spellingShingle |
Нанотехнологии на наноматериалы Нанотехнологии на наноматериалы Слободянюк, И.А. Русецкий, И.А. Колбасов, Г.Я. Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей Поверхность |
| description |
Изучены фотоэлектрохимические процессы на GaAs–электродах и электродах на основе наноразмерных частиц CdSe после их наноструктурирования в растворах, содержащих ионы Zn²⁺ и S²⁻. Показано, что наноструктурирование электродов приводит к увеличению их фоточувствительности, что связано с уменьшением скорости поверхностной рекомбинации и фотокатодной реакции с участием поверхностных электронных состояний. Исследованные материалы перспективны для применения в качестве фотоанодов фотоэлектрохимической системы с накоплением водорода. |
| format |
Article |
| author |
Слободянюк, И.А. Русецкий, И.А. Колбасов, Г.Я. |
| author_facet |
Слободянюк, И.А. Русецкий, И.А. Колбасов, Г.Я. |
| author_sort |
Слободянюк, И.А. |
| title |
Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей |
| title_short |
Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей |
| title_full |
Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей |
| title_fullStr |
Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей |
| title_full_unstemmed |
Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей |
| title_sort |
наноструктурированные gaas- и cdse-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей |
| publisher |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
| publishDate |
2007 |
| topic_facet |
Нанотехнологии на наноматериалы |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146650 |
| citation_txt |
Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей / И.А. Слободянюк, И.А. Русецкий, Г.Я. Колбасов // Поверхность. — 2007. — Вип. 13. — С. 364-369. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| series |
Поверхность |
| work_keys_str_mv |
AT slobodânûkia nanostrukturirovannyegaasicdseélektrodydlâfotoélektrohimičeskihpreobrazovatelej AT ruseckijia nanostrukturirovannyegaasicdseélektrodydlâfotoélektrohimičeskihpreobrazovatelej AT kolbasovgâ nanostrukturirovannyegaasicdseélektrodydlâfotoélektrohimičeskihpreobrazovatelej |
| first_indexed |
2023-05-20T17:25:21Z |
| last_indexed |
2023-05-20T17:25:21Z |
| _version_ |
1796153258196074496 |