Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей
Изучены фотоэлектрохимические процессы на GaAs–электродах и электродах на основе наноразмерных частиц CdSe после их наноструктурирования в растворах, содержащих ионы Zn²⁺ и S²⁻. Показано, что наноструктурирование электродов приводит к увеличению их фоточувствительности, что связано с уменьшением ск...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2007
|
| Назва видання: | Поверхность |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146650 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей / И.А. Слободянюк, И.А. Русецкий, Г.Я. Колбасов // Поверхность. — 2007. — Вип. 13. — С. 364-369. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |