The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
Photogeneration and transport of nonequilibrium charge carriers, and the determination of photoresponce mechanisms in semiconductor SiGe/Si and SiGe/SiO₂/p-Si heterostructures with nanoisland were investigated. The structures were grown by molecular beam epitaxy technique. The work generalizes the r...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2015
|
| Назва видання: | Поверхность |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148495 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures / V.S. Lysenko, S.V. Kondratenko, Ye.Ye. Melnichuk, M.I. Terebinska, O.I. Tkachuk, Yu.N. Kozyrev, V.V. Lobanov // Поверхность. — 2015. — Вип. 7 (22). — С. 285-296. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. |