Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры

• Дата: 2018
• Автори: Абдулхаев, О.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Якубов, А.А., Кулиев, Ш.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Сенсоэлектроника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150274
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Якубов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра. Полученные результаты указывают на перспективность данных структур для применения в оптических системах связи.