Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры

Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Абдулхаев, О.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Якубов, А.А., Кулиев, Ш.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Сенсоэлектроника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150274
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Якубов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-150274
record_format dspace
spelling irk-123456789-1502742019-04-04T01:25:30Z Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры Абдулхаев, О.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Якубов, А.А. Кулиев, Ш.М. Сенсоэлектроника Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра. Полученные результаты указывают на перспективность данных структур для применения в оптических системах связи. Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра. Полученные результаты указывают на перспективность данных структур для применения в оптических системах связи. The work is devoted to the study of physical features of electronic processes taking place in the space charge region and in the base region of arsenide-gallium three-barrier photodiode structures with the effect of locking two adjacent transitions. The structures have high photosensitivity in the «impurity» region of the spectrum at both inclusion polarities. The obtained results suggest that such structures can be used in optical communication systems. 2018 Article Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Якубов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.4.21 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150274 621.315.592.2:546.681'19 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Сенсоэлектроника
Сенсоэлектроника
spellingShingle Сенсоэлектроника
Сенсоэлектроника
Абдулхаев, О.А.
Ёдгорова, Д.М.
Каримов, А.В.
Якубов, А.А.
Кулиев, Ш.М.
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра. Полученные результаты указывают на перспективность данных структур для применения в оптических системах связи.
format Article
author Абдулхаев, О.А.
Ёдгорова, Д.М.
Каримов, А.В.
Якубов, А.А.
Кулиев, Ш.М.
author_facet Абдулхаев, О.А.
Ёдгорова, Д.М.
Каримов, А.В.
Якубов, А.А.
Кулиев, Ш.М.
author_sort Абдулхаев, О.А.
title Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
title_short Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
title_full Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
title_fullStr Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
title_full_unstemmed Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
title_sort электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной gaas-структуры
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2018
topic_facet Сенсоэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150274
citation_txt Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Якубов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT abdulhaevoa élektrofizičeskieifotoélektričeskieharakteristikitrehbarʹernojfotodiodnojgaasstruktury
AT ëdgorovadm élektrofizičeskieifotoélektričeskieharakteristikitrehbarʹernojfotodiodnojgaasstruktury
AT karimovav élektrofizičeskieifotoélektričeskieharakteristikitrehbarʹernojfotodiodnojgaasstruktury
AT âkubovaa élektrofizičeskieifotoélektričeskieharakteristikitrehbarʹernojfotodiodnojgaasstruktury
AT kulievšm élektrofizičeskieifotoélektričeskieharakteristikitrehbarʹernojfotodiodnojgaasstruktury
first_indexed 2023-05-20T17:35:02Z
last_indexed 2023-05-20T17:35:02Z
_version_ 1796153625611862016

Схожі ресурси