Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
Исследованы смешанные кристаллы ZnSxSe₁₋x разного состава (х = 0,07—0,39), выращенные методом Бриджмена — Стокбаргера.
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150288 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x / О.Г. Трубаева, М.А. Чайка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 44-49. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |