Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
Исследованы смешанные кристаллы ZnSxSe₁₋x разного состава (х = 0,07—0,39), выращенные методом Бриджмена — Стокбаргера.
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150288 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x / О.Г. Трубаева, М.А. Чайка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 44-49. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-150288 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1502882019-04-04T01:25:31Z Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x Трубаева, О.Г. Чайка, М.А. Материалы электроники Исследованы смешанные кристаллы ZnSxSe₁₋x разного состава (х = 0,07—0,39), выращенные методом Бриджмена — Стокбаргера. У даній роботі досліджено вплив вмісту сірки на оптичну ширину забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe₁₋x.Зразки для досліджень були вирощені методом Бріджмена — Стокбаргера в графітових тиглях діаметром 25 мм в атмосфері аргону (PAr = 2∙106 Па) за температури від 1870 до 2000 К залежно від складу вихідної шихти. The effect of sulfur content on the optical width of the band gap in mixed crystals ZnSxSe₁₋x is investigated in this paper.The test samples for this study were grown by Bridgman-Stockbarger in graphite crucibles with the diameter of 25 mm in the Ar atmosphere (PAr = 2∙106 Pa) at a temperature from 1870 to 2000 K, depending on the composition of the initial raw materials. 2018 Article Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x / О.Г. Трубаева, М.А. Чайка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 44-49. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.5-6.44 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150288 535-34; 535-36 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Трубаева, О.Г. Чайка, М.А. Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследованы смешанные кристаллы ZnSxSe₁₋x разного состава (х = 0,07—0,39), выращенные методом Бриджмена — Стокбаргера. |
| format |
Article |
| author |
Трубаева, О.Г. Чайка, М.А. |
| author_facet |
Трубаева, О.Г. Чайка, М.А. |
| author_sort |
Трубаева, О.Г. |
| title |
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x |
| title_short |
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x |
| title_full |
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x |
| title_fullStr |
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x |
| title_full_unstemmed |
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x |
| title_sort |
исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов znsxse₁₋x |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2018 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150288 |
| citation_txt |
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x / О.Г. Трубаева, М.А. Чайка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 44-49. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT trubaevaog issledovanieširinyzapreŝennojzonysmešannyhkristallovznsxse1x AT čajkama issledovanieširinyzapreŝennojzonysmešannyhkristallovznsxse1x |
| first_indexed |
2023-05-20T17:35:05Z |
| last_indexed |
2023-05-20T17:35:05Z |
| _version_ |
1796153627092451328 |