Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
Исследованы смешанные кристаллы ZnSxSe₁₋x разного состава (х = 0,07—0,39), выращенные методом Бриджмена — Стокбаргера.
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150288 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x / О.Г. Трубаева, М.А. Чайка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 44-49. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |