Structural Aspect of Formation of a Nanosystem of In/In₄Se₃ (100)
Self-assembled indium deposition-induced nanostructures are obtained on the UHV cleaved (100) surface of In₄Se₃ layered semiconductor crystals. The small indium-deposition rates and short deposition times are chosen to study growth orientation and origin of nanostructures observed by scanning tunnel...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2018
|
| Назва видання: | Металлофизика и новейшие технологии |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/151868 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Structural Aspect of Formation of a Nanosystem of In/In₄Se₃ (100) / P.V. Galiy, P. Mazur, A. Ciszewski, T.M. Nenchuk, I.R. Yarovets’, O.R. Dveriy // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 10. — С. 1349-1358. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |