Determination of oscillator strength of confined excitons in a semiconductor microcavity
We have achieved a significant experimental Rabi-splitting (3.4 meV) for confined polaritons in a planar semiconductor λ microcavity for only a single quantum well (SQW) of GaAs (10~nm) placed at the antinode. The Rabi-splitting phenomena are discussed in detail based on the semiclassical theory, wh...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2014
|
| Назва видання: | Condensed Matter Physics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/153452 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Determination of oscillator strength of confined excitons in a semiconductor microcavity / E.A. Cotta, P.M.S. Roma // Condensed Matter Physics. — 2014. — Т. 17, № 2. — С. 23702:1-11. — Бібліогр.: 30 назв. — англ. |