The electronic properties of doped single walled carbon nanotubes and carbon nanotube sensors
We present ab initio calculations on the band structure and density of states of single wall semiconducting carbon nanotubes with high degrees (up to 25%) of B, Si and N substitution. The doping process consists of two phases: different carbon nanotubes (CNTs) for a constant doping rate and differen...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2014
|
| Назва видання: | Condensed Matter Physics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/153474 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The electronic properties of doped single walled carbon nanotubes and carbon nanotube sensors / E. Tetik // Condensed Matter Physics. — 2014. — Т. 17, № 4. — С. 43301: 1–12. — Бібліогр.: 32 назв. — англ. |