Influence of color centers on the luminescent response of radiation-damaged CsI:Tl crystal
Luminescence properties of Tl⁰va⁺ and Tl⁺vc⁻ color centers induced by irradiation in CsI:Tl crystal are studied within a temperature range of 80-300 K. It is found, that electron Tl⁰va⁺ and hole Tl⁺vc⁻ color centers arising due to radiation damage do not reduce conversion efficiency of CsI:Tl crysta...
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2018
|
Назва видання: | Functional Materials |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/154076 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Influence of color centers on the luminescent response of radiation-damaged CsI:Tl crystal / V. Yakovlev, L. Trefilova, V. Alekseev, A. Karnaukhova, O. Shpylynska, A. Lebedynskiy, O. Tarakhno // Functional Materials. — 2018. — Т. 25, № 1. — С. 13-20. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |