Modeling the intermixing effects in highly strained asymmetric InGaAs/GaAs quantum well
In this work, we have theoretically investigated the intermixing effect in highly strained In₀.₃Ga₀.₇As/GaAs QW taking into consideration the composition profile change resulting from in-situ indium surface segregation. To study the impact of the segregation effects on the postgrowth intermixing, on...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2015
|
| Назва видання: | Condensed Matter Physics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/154203 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Modeling the intermixing effects in highly strained asymmetric InGaAs/GaAs quantum well / M. Souaf, M. Baira, H. Maaref, B. Ilahi // Condensed Matter Physics. — 2015. — Т. 18, № 3. — С. 33005: 1–6. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |