Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
The effect of a constant electric field and donor impurity on the energies and oscillator strengths of electron intraband quantum transitions in double-well spherical quantum dot GaAs/AlxGa1−xAs/GaAs is researched. The problem is solved in the framework of the effective mass approximation and rect...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2018
|
| Назва видання: | Condensed Matter Physics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/157039 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field / V.A. Holovatsky, M.Ya. Yakhnevych, O.M. Voitsekhivska // Condensed Matter Physics. — 2018. — Т. 21, № 1. — С. 13703: 1–9. — Бібліогр.: 28 назв. — англ. |