Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях
Исследуются радиационные процессы формирования аморфно-микрокристаллических гетероструктур с квантовыми нитями, обеспечивающие вывод носителей заряда из объема полупроводника в кремниевых фотопреобразователях нового поколения....
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | , , , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/15712 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях / А.Н. Довбня, В.П. Ефимов, А.С. Абызов, И.И. Шаповал, А.В. Рыбка, Е.П. Березняк, В.В. Закутин, Н.Г. Решетняк, В.П. Ромасько // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 2. — С. 164-167. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |