Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях

Исследуются радиационные процессы формирования аморфно-микрокристаллических гетероструктур с квантовыми нитями, обеспечивающие вывод носителей заряда из объема полупроводника в кремниевых фотопреобразователях нового поколения....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Довбня, А.Н., Ефимов, В.П., Абызов, А.С., Шаповал, И.И., Рыбка, А.В., Березняк, Е.П., Закутин, В.В., Решетняк, Н.Г., Ромасько, В.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/15712
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях / А.Н. Довбня, В.П. Ефимов, А.С. Абызов, И.И. Шаповал, А.В. Рыбка, Е.П. Березняк, В.В. Закутин, Н.Г. Решетняк, В.П. Ромасько // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 2. — С. 164-167. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine