Use of density functional theory for modeling optical properties of vacancy defects in nanoclusters of various SiC polytypes
We studied electronic properties of the ground and lowest excited states of SiC defective nanoclusters falling into 3C, 2H and 4H polymorphic types. The standard time-dependent DFT method was used along with the economical model-core-potential approximation. Basing on our earlier works, we performed...
Збережено в:
Видавець: | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
---|---|
Дата: | 2018 |
Автори: | , , , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2018
|
Назва видання: | Functional Materials |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/157143 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Use of density functional theory for modeling optical properties of vacancy defects in nanoclusters of various SiC polytypes / O.A. Zhikol, A.V. Luzanov, I.V. Omelchenko, A.L. Pushkarchuk, V.A. Pushkarchuk, A.P. Nizovstev, S.Ya. Kilin, T.V. Bezyazychnaya, S.A. Kuten' // Functional Materials. — 2018. — Т. 25, № 2. — С. 337-341. — Бібліогр.: 29 назв. — англ. |