До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉

До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉

У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання тензоопор...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2019
Автор: Гайдар, Г.П.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2019
Назва видання:Доповіді НАН України
Теми:
Фізика
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/158108
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-158108
record_format dspace
spelling irk-123456789-1581082019-07-16T01:25:25Z До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 Гайдар, Г.П. Фізика У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання тензоопору в інших кристалографічних напрямках, де вказаний ефект значний за величиною. В рамках теории анизотропного рассеяния для многодолинных полупроводников n-Ge и n-Sі получены полезные для практического применения выражения, которые позволяют рассчитывать значения тензосопротивления в насыщении для кристаллографических направлений, где этот эффект незначительный, по результатам измерений тензосопротивления в других кристаллографических направлениях, где указанный эффект значительный по величине. In the framework of the theory of anisotropic scattering, the expressions useful for the practical application are obtained for many-valley semiconductors such as n-Ge and n-Si. These relations allow us to calculate the tensoresistance in saturation for crystallographic directions, where this effect is very small, by using the measurement results of tensoresistance in other crystallographic directions, where this effect has large values. 2019 Article До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2019.05.067 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/158108 621.315.592 uk Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Фізика
Фізика
spellingShingle Фізика
Фізика
Гайдар, Г.П.
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
Доповіді НАН України
description У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання тензоопору в інших кристалографічних напрямках, де вказаний ефект значний за величиною.
format Article
author Гайдар, Г.П.
author_facet Гайдар, Г.П.
author_sort Гайдар, Г.П.
title До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
title_short До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
title_full До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
title_fullStr До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
title_full_unstemmed До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
title_sort до методології визначення тензоопору n-ge та n-si у кристалографічних напрямках 〈110〉
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
publishDate 2019
topic_facet Фізика
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/158108
citation_txt До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.
series Доповіді НАН України
work_keys_str_mv AT gajdargp dometodologííviznačennâtenzooporungetansiukristalografíčnihnaprâmkah110
first_indexed 2023-05-20T17:53:59Z
last_indexed 2023-05-20T17:53:59Z
_version_ 1796154351229599744

Схожі ресурси