2025-02-22T10:25:01-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-158108%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T10:25:01-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-158108%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T10:25:01-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T10:25:01-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання тензоопор...
Saved in:
Main Author: | Гайдар, Г.П. |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Ukrainian |
Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2019
|
Series: | Доповіді НАН України |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/158108 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
2025-02-22T10:25:01-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-158108%22&qt=morelikethis
2025-02-22T10:25:01-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-158108%22&qt=morelikethis
2025-02-22T10:25:01-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T10:25:01-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Similar Items
-
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2013) -
До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2022) -
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2018) -
Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2020) -
Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації
by: Гайдар, Г.П., et al.
Published: (2015)