Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена
Описана роль затравочного кристалла в процессе выращивания монокристаллов. Показано, что традиционный способ расположения затравочного кристалла при плавке позволяет вырастить монокристалл только одной ориентации. Количество ориентаций монокристаллов, выращиваемых на одном затравочном кристалле, мож...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
2001
|
| Назва видання: | Проблемы специальной электрометаллургии |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/160269 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена / В.А. Шаповалов // Проблемы специальной электрометаллургии. — 2001. — № 3(64). — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |