2025-02-23T14:11:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-167797%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T14:11:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-167797%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T14:11:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T14:11:03-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si

Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si

Предмет і мета роботи. Предметом досліджень є електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури МoN/n-Si, отриманої шляхом напилення тонкої плівки нітриду молібдену (n-типу провідності) методом реактивного магнетронного розпилення на монокристалічні пластини кремнію n-типу провідності. Метою...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Солован, М.М., Мар’янчук, П.Д.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2019
Series:Радіофізика та електроніка
Subjects:
Вакуумна та твердотільна електроніка
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167797
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167797

Similar Items