Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
Предмет і мета роботи. Предметом досліджень є електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури МoN/n-Si, отриманої шляхом напилення тонкої плівки нітриду молібдену (n-типу провідності) методом реактивного магнетронного розпилення на монокристалічні пластини кремнію n-типу провідності. Метою...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2019 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2019
|
| Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167797 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si / М.М. Солован, П.Д. Мар’янчук // Радіофізика та електроніка. — 2019. — Т. 24, № 2. — С. 49-56. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Предмет і мета роботи. Предметом досліджень є електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури МoN/n-Si, отриманої шляхом напилення тонкої плівки нітриду молібдену (n-типу провідності) методом реактивного магнетронного розпилення на монокристалічні пластини кремнію n-типу провідності. Метою роботи є виготовлення фоточутливих поверхнево-бар’єрних структур МoN/n-Si, визначення бар’єрних параметрів та домінуючих механізмів струмоперенесення через отриману гетероструктуру при прямому та зворотному зміщеннях, дослідження фотоелектричних властивостей та причин втрат фотогенерованих носіїв заряду в отриманих гетероструктурах. |
|---|