Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si

Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si

Предмет і мета роботи. Предметом досліджень є електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури МoN/n-Si, отриманої шляхом напилення тонкої плівки нітриду молібдену (n-типу провідності) методом реактивного магнетронного розпилення на монокристалічні пластини кремнію n-типу провідності. Метою...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Дата:2019
Автори: Солован, М.М., Мар’янчук, П.Д.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2019
Назва видання:Радіофізика та електроніка
Теми:
Вакуумна та твердотільна електроніка
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167797
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si / М.М. Солован, П.Д. Мар’янчук // Радіофізика та електроніка. — 2019. — Т. 24, № 2. — С. 49-56. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-167797
record_format dspace
spelling irk-123456789-1677972020-04-10T01:26:46Z Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si Солован, М.М. Мар’янчук, П.Д. Вакуумна та твердотільна електроніка Предмет і мета роботи. Предметом досліджень є електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури МoN/n-Si, отриманої шляхом напилення тонкої плівки нітриду молібдену (n-типу провідності) методом реактивного магнетронного розпилення на монокристалічні пластини кремнію n-типу провідності. Метою роботи є виготовлення фоточутливих поверхнево-бар’єрних структур МoN/n-Si, визначення бар’єрних параметрів та домінуючих механізмів струмоперенесення через отриману гетероструктуру при прямому та зворотному зміщеннях, дослідження фотоелектричних властивостей та причин втрат фотогенерованих носіїв заряду в отриманих гетероструктурах. Предмет и цель работы. Предметом исследований являются электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры МoN/n-Si, полученной путем напыления тонкой пленки нитрида молибдена (n-типа проводимости) методом реактивного магнетронного распыления на монокристаллические пластины кремния n-типа проводимости. Целью работы является изготовление фоточувствительных поверхностно-барьерных структур МoN/n-Si, определение барьерных параметров и доминирующих механизмов токопереноса сквозь полученную гетероструктуру при прямом и обратном смещениях, исследование фотоэлектрических свойств и причин потерь фотогенерированных носителей заряда в полученных гетероструктурах. Subject and purpose. The subject of research is the electrical and photoelectric properties of the МoN/n-Si heterostructure fabricated for the first time by means of the deposition of thin film of molybdenum nitride (n-type conductivity) by the reactive magnetron sputtering onto single crystal substrates of n-type Si. The purpose of the work is to fabricate the photosensitive MoN/n-Si surface-barrier structures, determine the barrier parameters and dominant mechanisms of current transfer through the obtained heterostructure at direct and reverse biases, investigate the photoelectric properties and causes of losses of photogenerated charge carriers in the obtained heterostructures. 2019 Article Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si / М.М. Солован, П.Д. Мар’янчук // Радіофізика та електроніка. — 2019. — Т. 24, № 2. — С. 49-56. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. 1028-821X PACS: 71.55.Gs, 72.80.Ey, 73.20.Hb, 73.40.Gk, 73.40.Lq, 85.60.Bt DOI: https://doi.org/10.15407/rej2019.02.049 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167797 621.383.52 uk Радіофізика та електроніка Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Вакуумна та твердотільна електроніка
Вакуумна та твердотільна електроніка
spellingShingle Вакуумна та твердотільна електроніка
Вакуумна та твердотільна електроніка
Солован, М.М.
Мар’янчук, П.Д.
Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
Радіофізика та електроніка
description Предмет і мета роботи. Предметом досліджень є електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури МoN/n-Si, отриманої шляхом напилення тонкої плівки нітриду молібдену (n-типу провідності) методом реактивного магнетронного розпилення на монокристалічні пластини кремнію n-типу провідності. Метою роботи є виготовлення фоточутливих поверхнево-бар’єрних структур МoN/n-Si, визначення бар’єрних параметрів та домінуючих механізмів струмоперенесення через отриману гетероструктуру при прямому та зворотному зміщеннях, дослідження фотоелектричних властивостей та причин втрат фотогенерованих носіїв заряду в отриманих гетероструктурах.
format Article
author Солован, М.М.
Мар’янчук, П.Д.
author_facet Солован, М.М.
Мар’янчук, П.Д.
author_sort Солован, М.М.
title Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
title_short Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
title_full Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
title_fullStr Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
title_full_unstemmed Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
title_sort електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур мon/n-si
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
publishDate 2019
topic_facet Вакуумна та твердотільна електроніка
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167797
citation_txt Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si / М.М. Солован, П.Д. Мар’янчук // Радіофізика та електроніка. — 2019. — Т. 24, № 2. — С. 49-56. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
series Радіофізика та електроніка
work_keys_str_mv AT solovanmm električníífotoelektričnívlastivostípoverhnevobarêrnihstrukturmonnsi
AT marânčukpd električníífotoelektričnívlastivostípoverhnevobarêrnihstrukturmonnsi
first_indexed 2023-10-18T22:21:33Z
last_indexed 2023-10-18T22:21:33Z
_version_ 1796155308199903232

Схожі ресурси