Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
The paper considers the causes and mechanisms of the influence of defects and impurities on the reverse current of the Schottky diode. The influence of two getter regions, which were created by different technologies on the working side and the reverse side of the plate, on the value of the reverse...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167866 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering / V.N. Litvinenko, I.М. Vikulin, V.E. Gorbachev // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 1-2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. |