Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
The paper considers the causes and mechanisms of the influence of defects and impurities on the reverse current of the Schottky diode. The influence of two getter regions, which were created by different technologies on the working side and the reverse side of the plate, on the value of the reverse...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167866 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering / V.N. Litvinenko, I.М. Vikulin, V.E. Gorbachev // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 1-2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-167866 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1678662020-04-13T01:26:11Z Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering Litvinenko, V.N. Vikulin, I.М. Gorbachev, V.E. Технологические процессы и оборудование The paper considers the causes and mechanisms of the influence of defects and impurities on the reverse current of the Schottky diode. The influence of two getter regions, which were created by different technologies on the working side and the reverse side of the plate, on the value of the reverse current of diodes was experimentally investigated, and the physical factors of such influence were analyzed. The proposed technology for creating getter regions allows one to significantly reduce the reverse current of diodes and increase the product yield. В настоящей работе исследованы влияние структурных дефектов и примесных загрязнений поверхности на уровень обратных токов ДШ и эффективность применения операций геттерирования для его снижения и повышения выхода годных приборов. Установлено, что причинами низкого процента выхода годных структур ДШ при контроле уровня их обратных токов являются окислительные дефекты упаковки, образующиеся в активных областях диодов в процессе проведения термического окисления, и примесные загрязнения на поверхности диодных структур. Предложена технология изготовления структур ДШ с двумя геттерными областями, одна из которых создана имплантацией аргона на обратной стороне пластины, вторая — диффузией бора на рабочей стороне пластины. У даній роботі досліджено вплив структурних дефектів і домішкових забруднень поверхні на рівень зворотних струмів ДШ і ефективність застосування операцій гетерування для його зниження і підвищення виходу придатних приладів. Встановлено, що причинами низького відсотка виходу придатних структур ДШ при контролі рівня їх зворотних струмів є окислювальні дефекти упаковки, що утворюються в активних областях діодів в процесі проведення термічного окислення, і домішкові забруднення на поверхні діодних структур. Запропоновано технологію виготовлення структур ДШ з двома гетерними областями, одна з яких створена імплантацією аргону на зворотному боці пластини, друга — дифузією бору на робочій стороні пластини. 2019 Article Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering / V.N. Litvinenko, I.М. Vikulin, V.E. Gorbachev // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 1-2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2019.1-2.34 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167866 621.382 en Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| topic |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование |
| spellingShingle |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование Litvinenko, V.N. Vikulin, I.М. Gorbachev, V.E. Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
The paper considers the causes and mechanisms of the influence of defects and impurities on the reverse current of the Schottky diode. The influence of two getter regions, which were created by different technologies on the working side and the reverse side of the plate, on the value of the reverse current of diodes was experimentally investigated, and the physical factors of such influence were analyzed. The proposed technology for creating getter regions allows one to significantly reduce the reverse current of diodes and increase the product yield. |
| format |
Article |
| author |
Litvinenko, V.N. Vikulin, I.М. Gorbachev, V.E. |
| author_facet |
Litvinenko, V.N. Vikulin, I.М. Gorbachev, V.E. |
| author_sort |
Litvinenko, V.N. |
| title |
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering |
| title_short |
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering |
| title_full |
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering |
| title_fullStr |
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering |
| title_full_unstemmed |
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering |
| title_sort |
improvement of the reverse characteristics of schottky diodes using gettering |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2019 |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167866 |
| citation_txt |
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering / V.N. Litvinenko, I.М. Vikulin, V.E. Gorbachev // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 1-2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT litvinenkovn improvementofthereversecharacteristicsofschottkydiodesusinggettering AT vikulinim improvementofthereversecharacteristicsofschottkydiodesusinggettering AT gorbachevve improvementofthereversecharacteristicsofschottkydiodesusinggettering |
| first_indexed |
2023-10-18T22:21:42Z |
| last_indexed |
2023-10-18T22:21:42Z |
| _version_ |
1796155315098484736 |