Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента
Изучена возможность применения больших синтетических монокристаллов алмаза, легированных примесью бора, в качестве высокотемпературных полупроводников. Осуществлены измерения удельной электропроводности и энергии активации проводимости синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом температ...
Збережено в:
| Видавець: | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2003
|
| Назва видання: | Физика и техника высоких давлений |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168027 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / С.Н. Шeвчук, Л.А. Романко // Физика и техника высоких давлений. — 2003. — Т. 13, № 4. — С. 81-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |