Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента
Изучена возможность применения больших синтетических монокристаллов алмаза, легированных примесью бора, в качестве высокотемпературных полупроводников. Осуществлены измерения удельной электропроводности и энергии активации проводимости синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом температ...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2003
|
| Назва видання: | Физика и техника высоких давлений |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168027 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / С.Н. Шeвчук, Л.А. Романко // Физика и техника высоких давлений. — 2003. — Т. 13, № 4. — С. 81-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-168027 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1680272020-04-21T01:25:34Z Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента Шeвчук, С.Н. Романко, Л.А. Изучена возможность применения больших синтетических монокристаллов алмаза, легированных примесью бора, в качестве высокотемпературных полупроводников. Осуществлены измерения удельной электропроводности и энергии активации проводимости синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента. Показано, что выделение из монокристалла алмаза областей, принадлежащих одноименным пирамидам роста, позволяет получить материал, обладающий достаточно однородными электрофизическими свойствами. The possibility of utilizing large boron-doped synthetic diamond single crystals as hightemperature semiconductors has been studied. The measurements of electrical conductivity and conductivity activation energy of synthetic diamond single crystals grown by temperature gradient method were performed. It is presented that the allocation of areas of the same growth pyramids from a diamond single crystal allows receiving a material with homogeneous physical characteristics. 2003 Article Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / С.Н. Шeвчук, Л.А. Романко // Физика и техника высоких давлений. — 2003. — Т. 13, № 4. — С. 81-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 81.10.-h, 72.20.-i, 06.30.-k http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168027 ru Физика и техника высоких давлений Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Изучена возможность применения больших синтетических монокристаллов алмаза, легированных примесью бора, в качестве высокотемпературных полупроводников. Осуществлены измерения удельной электропроводности и энергии активации проводимости синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента. Показано, что выделение из монокристалла алмаза областей, принадлежащих одноименным пирамидам роста, позволяет получить материал, обладающий достаточно однородными электрофизическими свойствами. |
| format |
Article |
| author |
Шeвчук, С.Н. Романко, Л.А. |
| spellingShingle |
Шeвчук, С.Н. Романко, Л.А. Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента Физика и техника высоких давлений |
| author_facet |
Шeвчук, С.Н. Романко, Л.А. |
| author_sort |
Шeвчук, С.Н. |
| title |
Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| title_short |
Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| title_full |
Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| title_fullStr |
Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| title_full_unstemmed |
Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| title_sort |
электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента |
| publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| publishDate |
2003 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168027 |
| citation_txt |
Электрофизические характеристики монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента / С.Н. Шeвчук, Л.А. Романко // Физика и техника высоких давлений. — 2003. — Т. 13, № 4. — С. 81-88. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Физика и техника высоких давлений |
| work_keys_str_mv |
AT ševčuksn élektrofizičeskieharakteristikimonokristallovalmazavyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta AT romankola élektrofizičeskieharakteristikimonokristallovalmazavyraŝennyhmetodomtemperaturnogogradienta |
| first_indexed |
2023-10-18T22:22:02Z |
| last_indexed |
2023-10-18T22:22:02Z |
| _version_ |
1796155330055372800 |