Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов
Разработана установка, позволяющая исследовать микропластичность алмазоподобных полупроводников. При температуре 300 K это достигается снятием кривых σ−ε или ε−t. В интервале 77–300 K зарождение дислокаций в приповерхностных слоях кристаллов можно регистрировать по изменениям электропроводности, вре...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2004
|
| Назва видання: | Физика и техника высоких давлений |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168075 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Д.С. Москаль // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 2. — С. 117-121. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-168075 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1680752020-04-21T01:25:40Z Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. Москаль, Д.С. Разработана установка, позволяющая исследовать микропластичность алмазоподобных полупроводников. При температуре 300 K это достигается снятием кривых σ−ε или ε−t. В интервале 77–300 K зарождение дислокаций в приповерхностных слоях кристаллов можно регистрировать по изменениям электропроводности, времени жизни носителей заряда в образцах или обратного тока полупроводниковых p–n-переходов. An arrangement allowing to investigate microplasticity of diamond-like semiconductors was designed. At the temperature 300 K this is attained by taking off σ−ε or ε−t curves. In the interval 77–300 K, origin of dislocations in the single crystal subsurface layers can be registered according to changes of electric conductivity, charge carrier life-time in the samples or semiconductor p−n junction reverse current. 2004 Article Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Д.С. Москаль // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 2. — С. 117-121. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 81.40.Ef, 62.20.Fe http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168075 ru Физика и техника высоких давлений Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Разработана установка, позволяющая исследовать микропластичность алмазоподобных полупроводников. При температуре 300 K это достигается снятием кривых σ−ε или ε−t. В интервале 77–300 K зарождение дислокаций в приповерхностных слоях кристаллов можно регистрировать по изменениям электропроводности, времени жизни носителей заряда в образцах или обратного тока полупроводниковых p–n-переходов. |
| format |
Article |
| author |
Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. Москаль, Д.С. |
| spellingShingle |
Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. Москаль, Д.С. Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов Физика и техника высоких давлений |
| author_facet |
Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. Москаль, Д.С. |
| author_sort |
Надточий, В.А. |
| title |
Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов |
| title_short |
Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов |
| title_full |
Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов |
| title_fullStr |
Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов |
| title_full_unstemmed |
Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов |
| title_sort |
установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов |
| publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| publishDate |
2004 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168075 |
| citation_txt |
Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Д.С. Москаль // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 2. — С. 117-121. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| series |
Физика и техника высоких давлений |
| work_keys_str_mv |
AT nadtočijva ustanovkadlâissledovaniâmikroplastičnostipoluprovodnikovyhkristallov AT nečvolodnk ustanovkadlâissledovaniâmikroplastičnostipoluprovodnikovyhkristallov AT moskalʹds ustanovkadlâissledovaniâmikroplastičnostipoluprovodnikovyhkristallov |
| first_indexed |
2023-10-18T22:22:08Z |
| last_indexed |
2023-10-18T22:22:08Z |
| _version_ |
1796155333974949888 |