Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment

Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment

Изучено влияние низкотемпературной деформации с одновременным ультразвуковым (УЗ) облучением на рекомбинационные свойства и проводимость приповерхностных слоев Ge. Деформация при 300 K вызывает зарождение дислокаций и точечных дефектов (ТД) в приповерхностном слое, где проявляется донорное действие...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
Дата:2004
Автори: Надточий, В.А., Нечволод, Н.К., Голоденко, Н.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2004
Назва видання:Физика и техника высоких давлений
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168082
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Изменение времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Н.Н. Голоденко // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 3. — С. 42-4. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-168082
record_format dspace
spelling irk-123456789-1680822020-04-22T01:25:47Z Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. Голоденко, Н.Н. Изучено влияние низкотемпературной деформации с одновременным ультразвуковым (УЗ) облучением на рекомбинационные свойства и проводимость приповерхностных слоев Ge. Деформация при 300 K вызывает зарождение дислокаций и точечных дефектов (ТД) в приповерхностном слое, где проявляется донорное действие деформации и снижается время жизни неравновесных носителей заряда. Термообработка кристаллов в интервале 400−900 K сопровождается генерацией дислокаций на гетерогенных источниках в более глубоких слоях и отжигом ТД. Influence of low-temperature deformation with simultaneous ultrasonic (US) irradiation on recombination properties and conductivity of Ge subsurface layers was studied. Deformation at 300 K causes arising of dislocations and point defects (PD) in the subsurface layer where the donor effecting of deformation becomes apparent and the lifetime of nonequilibrium charge carriers is reduced. Thermal treatment of chips in the interval 400−900 K is accompanied by generation of dislocations on heterogeneous sources in more deep layers and by the annealing of PD. 2004 Article Изменение времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Н.Н. Голоденко // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 3. — С. 42-4. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 71.10.–w http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168082 ru Физика и техника высоких давлений Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Изучено влияние низкотемпературной деформации с одновременным ультразвуковым (УЗ) облучением на рекомбинационные свойства и проводимость приповерхностных слоев Ge. Деформация при 300 K вызывает зарождение дислокаций и точечных дефектов (ТД) в приповерхностном слое, где проявляется донорное действие деформации и снижается время жизни неравновесных носителей заряда. Термообработка кристаллов в интервале 400−900 K сопровождается генерацией дислокаций на гетерогенных источниках в более глубоких слоях и отжигом ТД.
format Article
author Надточий, В.А.
Нечволод, Н.К.
Голоденко, Н.Н.
spellingShingle Надточий, В.А.
Нечволод, Н.К.
Голоденко, Н.Н.
Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
Физика и техника высоких давлений
author_facet Надточий, В.А.
Нечволод, Н.К.
Голоденко, Н.Н.
author_sort Надточий, В.А.
title Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
title_short Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
title_full Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
title_fullStr Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
title_full_unstemmed Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
title_sort changes in lifetime of charge carriers and in ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
publishDate 2004
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168082
citation_txt Изменение времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Н.Н. Голоденко // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 3. — С. 42-4. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
series Физика и техника высоких давлений
work_keys_str_mv AT nadtočijva changesinlifetimeofchargecarriersandingedefectivesubsurfacelayerconductivityatthermaltreatment
AT nečvolodnk changesinlifetimeofchargecarriersandingedefectivesubsurfacelayerconductivityatthermaltreatment
AT golodenkonn changesinlifetimeofchargecarriersandingedefectivesubsurfacelayerconductivityatthermaltreatment
first_indexed 2023-10-18T22:22:09Z
last_indexed 2023-10-18T22:22:09Z
_version_ 1796155334717341696

Схожі ресурси