Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
Изучено влияние низкотемпературной деформации с одновременным ультразвуковым (УЗ) облучением на рекомбинационные свойства и проводимость приповерхностных слоев Ge. Деформация при 300 K вызывает зарождение дислокаций и точечных дефектов (ТД) в приповерхностном слое, где проявляется донорное действие...
Збережено в:
Видавець: | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
---|---|
Дата: | 2004 |
Автори: | Надточий, В.А., Нечволод, Н.К., Голоденко, Н.Н. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2004
|
Назва видання: | Физика и техника высоких давлений |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168082 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Изменение времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Н.Н. Голоденко // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 3. — С. 42-4. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011) -
Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer
за авторством: Nadtochiy, V., та інші
Опубліковано: (2005) -
Theory of oscillations in the STM conductance resulting from subsurface defects (Review Article)
за авторством: Avotina, Ye.S., та інші
Опубліковано: (2010) -
Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014) -
Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)