Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений

Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений

В работе анализируется распределение уровня сигнала «логический ноль» (UOL) для выборки биполярных ИМС, изготовленных с применением радиационно-технологического процесса с использованием α-частиц от радиоизотопного источника и электронов с энергией ≡ 5 МэВ при действии тестирующего γ- и электронного...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автор: Быткин, С.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2018
Назва видання:Журнал физики и инженерии поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168187
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений / С.В. Быткин // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 26-36. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-168187
record_format dspace
spelling irk-123456789-1681872020-04-25T01:25:33Z Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений Быткин, С.В. В работе анализируется распределение уровня сигнала «логический ноль» (UOL) для выборки биполярных ИМС, изготовленных с применением радиационно-технологического процесса с использованием α-частиц от радиоизотопного источника и электронов с энергией ≡ 5 МэВ при действии тестирующего γ- и электронного облучения. Показана возможность эффективного повышения радиационной стойкости ИМС, имеющих бимодальное распределение UOL до облучения. В роботі аналізується розподіл рівня сигналу «логічний нуль» (UOL) для вибірки біполярних ІМС, виготовлених із застосуванням радіаційно-технологічного процесу з використанням α-частинок від радіоізотопного джерела і електронів з енергією ≡ 5 МеВ при дії γ- і електронного тестуючого опромінення. Доведена можливість ефективного підвищення радіаційної стійкості ІМС, що мають бімодальний розподіл UOL до опромінення. The work analyzes the distribution of the signal level “logical zero” (UOL) for the sampling of bipolar ICs manufactured using the radiation-technological process based on using α-particles from a radioisotope source and electrons with an energy of ≡ 5 MeV under the action of testing γ- and electron irradiation. The possibility of effectively increasing the radiation resistance of ICs having a bimodal UOL distribution before irradiation was shown. 2018 Article Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений / С.В. Быткин // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 26-36. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2519-2485 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168187 662.61.537.66.092 ru Журнал физики и инженерии поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В работе анализируется распределение уровня сигнала «логический ноль» (UOL) для выборки биполярных ИМС, изготовленных с применением радиационно-технологического процесса с использованием α-частиц от радиоизотопного источника и электронов с энергией ≡ 5 МэВ при действии тестирующего γ- и электронного облучения. Показана возможность эффективного повышения радиационной стойкости ИМС, имеющих бимодальное распределение UOL до облучения.
format Article
author Быткин, С.В.
spellingShingle Быткин, С.В.
Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
Журнал физики и инженерии поверхности
author_facet Быткин, С.В.
author_sort Быткин, С.В.
title Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
title_short Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
title_full Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
title_fullStr Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
title_full_unstemmed Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
title_sort экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации uol биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2018
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168187
citation_txt Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений / С.В. Быткин // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 26-36. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
series Журнал физики и инженерии поверхности
work_keys_str_mv AT bytkinsv éksperimentalʹnostatističeskoemodelirovanieprimeneniâradiacionnotehnologičeskihprocessovdlâzamedleniâdegradaciiuolbipolârnyhintegralʹnyhmikroshemvpolâhioniziruûŝihzlučenij
first_indexed 2023-10-18T22:22:23Z
last_indexed 2023-10-18T22:22:23Z
_version_ 1796155344717611008

Схожі ресурси