Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами

Проведен расчет вероятности образования А-, Е-, К-центров в CZ nSiGe c использованием ранее полученных эмпирических S-образных зависимостей накопления примесно-дефектных комплексов от интегрального потока α-частиц. Показано, что вероятность захвата вакансий атомами междоузельного кислорода в SiGe не...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Быткин, С.В., Критская, Т.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2018
Назва видання:Журнал физики и инженерии поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168192
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами / С.В. Быткин, Т.В. Критская // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 57-67. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine