2025-02-24T00:30:58-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-168192%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T00:30:58-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-168192%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T00:30:58-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-24T00:30:58-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами

Проведен расчет вероятности образования А-, Е-, К-центров в CZ nSiGe c использованием ранее полученных эмпирических S-образных зависимостей накопления примесно-дефектных комплексов от интегрального потока α-частиц. Показано, что вероятность захвата вакансий атомами междоузельного кислорода в SiGe не...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Быткин, С.В., Критская, Т.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2018
Series:Журнал физики и инженерии поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168192
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Проведен расчет вероятности образования А-, Е-, К-центров в CZ nSiGe c использованием ранее полученных эмпирических S-образных зависимостей накопления примесно-дефектных комплексов от интегрального потока α-частиц. Показано, что вероятность захвата вакансий атомами междоузельного кислорода в SiGe нелинейно зависит от дозы облучения, причем ее интегральное значение в диапазоне Φα ≈ 10⁹…5·10¹⁰ см⁻² существенно ниже, чем в контрольных образцах nSi. Полученные результаты объясняются с использованием имеющихся в литературе моделей. Изменение вероятности дефектообразования хорошо коррелирует с данными по деградации времени жизни инжектированных неосновных носителей заряда в базе p⁺n структуры.