Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами

Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами

Проведен расчет вероятности образования А-, Е-, К-центров в CZ nSiGe c использованием ранее полученных эмпирических S-образных зависимостей накопления примесно-дефектных комплексов от интегрального потока α-частиц. Показано, что вероятность захвата вакансий атомами междоузельного кислорода в SiGe не...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Быткин, С.В., Критская, Т.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2018
Назва видання:Журнал физики и инженерии поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168192
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами / С.В. Быткин, Т.В. Критская // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 57-67. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-168192
record_format dspace
spelling irk-123456789-1681922020-04-25T01:25:37Z Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами Быткин, С.В. Критская, Т.В. Проведен расчет вероятности образования А-, Е-, К-центров в CZ nSiGe c использованием ранее полученных эмпирических S-образных зависимостей накопления примесно-дефектных комплексов от интегрального потока α-частиц. Показано, что вероятность захвата вакансий атомами междоузельного кислорода в SiGe нелинейно зависит от дозы облучения, причем ее интегральное значение в диапазоне Φα ≈ 10⁹…5·10¹⁰ см⁻² существенно ниже, чем в контрольных образцах nSi. Полученные результаты объясняются с использованием имеющихся в литературе моделей. Изменение вероятности дефектообразования хорошо коррелирует с данными по деградации времени жизни инжектированных неосновных носителей заряда в базе p⁺n структуры. Проведено розрахунок ймовірності утворення А-, Е-, К-центрів в CZ nSi і nSiGe c використанням раніше отриманих емпіричних S-подібних залежностей накопичення домішково-дефектних комплексів від інтегрального потоку α-частинок. Встановлено, що ймовірність захоплення вакансій атомами міжвузлового кисню в SiGe нелінійно залежить від дози опромінення, причому її інтегральне значення в діапазоні Φα ≈ 10⁹ ... 5·10¹⁰ см⁻² істотно нижче, ніж у контрольних зразках nSi. Отримані результати пояснюються застосуванням відомих у літературі моделей. Змінювання ймовірності утворення дефектів добре корелює з даними про деградацію часу життя інжектованих неосновних носіїв заряду в базі p⁺n структури. The probability of A-, E-, K-centers formation in CZ nSi and nSiGe using the previously obtained empirical S-shaped dependences of the accumulation of impurity-defect complexes on the integral flux of α-particles was calculated. Shown, that the probability of vacancy trapping by atoms of interstitial oxygen in SiGe depends nonlinearly on the irradiation dose, and its integral value in the range Φα ≈ 10⁹ ... 5·10¹⁰ cm⁻² was much lower than in control nSi samples. The results explained using models available in the literature. The change of the defect formation probability correlates well with the data on the lifetime degradation of the injected minority charge carriers in the base of the p⁺n structure. 2018 Article Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами / С.В. Быткин, Т.В. Критская // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 57-67. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. 2519-2485 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168192 53.09 ru Журнал физики и инженерии поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Проведен расчет вероятности образования А-, Е-, К-центров в CZ nSiGe c использованием ранее полученных эмпирических S-образных зависимостей накопления примесно-дефектных комплексов от интегрального потока α-частиц. Показано, что вероятность захвата вакансий атомами междоузельного кислорода в SiGe нелинейно зависит от дозы облучения, причем ее интегральное значение в диапазоне Φα ≈ 10⁹…5·10¹⁰ см⁻² существенно ниже, чем в контрольных образцах nSi. Полученные результаты объясняются с использованием имеющихся в литературе моделей. Изменение вероятности дефектообразования хорошо коррелирует с данными по деградации времени жизни инжектированных неосновных носителей заряда в базе p⁺n структуры.
format Article
author Быткин, С.В.
Критская, Т.В.
spellingShingle Быткин, С.В.
Критская, Т.В.
Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами
Журнал физики и инженерии поверхности
author_facet Быткин, С.В.
Критская, Т.В.
author_sort Быткин, С.В.
title Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами
title_short Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами
title_full Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами
title_fullStr Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами
title_full_unstemmed Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами
title_sort влияние изовалентного легирования si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2018
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168192
citation_txt Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами / С.В. Быткин, Т.В. Критская // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 57-67. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.
series Журнал физики и инженерии поверхности
work_keys_str_mv AT bytkinsv vliânieizovalentnogolegirovaniâsigermaniemnaveroâtnostʹobrazovaniâprimesnodefektnyhkompleksovvbazepnstrukturprioblučeniiačasticami
AT kritskaâtv vliânieizovalentnogolegirovaniâsigermaniemnaveroâtnostʹobrazovaniâprimesnodefektnyhkompleksovvbazepnstrukturprioblučeniiačasticami
first_indexed 2023-10-18T22:22:23Z
last_indexed 2023-10-18T22:22:23Z
_version_ 1796155345248190464

Схожі ресурси