Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда
Теоретически рассмотрены особенности плазменных контактов полупроводника в сверхтонкой газоразрядной ячейке, в частности рассмотрена кинетика нарастания потока носителей при включении прямоугольной ступени напряжения. Рассмотрен более сложный случай, когда последовательно со слоем фоточувствительног...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2018
|
| Назва видання: | Журнал физики и инженерии поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168194 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда / З. Хайдаров // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 72-77. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-168194 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1681942020-04-25T01:25:38Z Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда Хайдаров, З. Теоретически рассмотрены особенности плазменных контактов полупроводника в сверхтонкой газоразрядной ячейке, в частности рассмотрена кинетика нарастания потока носителей при включении прямоугольной ступени напряжения. Рассмотрен более сложный случай, когда последовательно со слоем фоточувствительного полупроводника имеется слой распределенного сопротивления, а так же – случай, когда напряжение, подаваемое на газоразрядную ячейку, имеет более сложную форму, чем прямоугольная ступень. Теоретично розглянуті особливості плазмових контактів напівпровідника в надтонкій газорозрядній комірці, зокрема розглянута динаміка наростання потоку носіїв при включенні прямокутної ступені напруги. Розглянуто складніший випадок, коли послідовно з шаром фоточутливого напівпровідника є шар розподіленого опору, а також випадок, коли напруга, що подається на газорозрядну комірку, має складнішу форму, ніж прямокутна сходинка. Theoretically, the features of plasma contacts of a semiconductor in a hyperfine gas-discharge cell are considered, in particular, the kinetics of the growth of the carrier flux is considered when a rectangular voltage stage is included. A more complicated case is considered, in which there is a layer of distributed resistance in series with the layer of the photosensitive semiconductor, and also the case when the voltage applied to the gas-discharge cell has a more complex shape than the rectangular stage. 2018 Article Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда / З. Хайдаров // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 72-77. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2519-2485 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168194 536.2, 538.9, 53.06 ru Журнал физики и инженерии поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Теоретически рассмотрены особенности плазменных контактов полупроводника в сверхтонкой газоразрядной ячейке, в частности рассмотрена кинетика нарастания потока носителей при включении прямоугольной ступени напряжения. Рассмотрен более сложный случай, когда последовательно со слоем фоточувствительного полупроводника имеется слой распределенного сопротивления, а так же – случай, когда напряжение, подаваемое на газоразрядную ячейку, имеет более сложную форму, чем прямоугольная ступень. |
| format |
Article |
| author |
Хайдаров, З. |
| spellingShingle |
Хайдаров, З. Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда Журнал физики и инженерии поверхности |
| author_facet |
Хайдаров, З. |
| author_sort |
Хайдаров, З. |
| title |
Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда |
| title_short |
Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда |
| title_full |
Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда |
| title_fullStr |
Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда |
| title_full_unstemmed |
Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда |
| title_sort |
неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2018 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168194 |
| citation_txt |
Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда / З. Хайдаров // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 2. — С. 72-77. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| series |
Журнал физики и инженерии поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT hajdarovz neravnovesnyeprocessynakontaktepoluprovodnikplazmagazovogorazrâda |
| first_indexed |
2023-10-18T22:22:24Z |
| last_indexed |
2023-10-18T22:22:24Z |
| _version_ |
1796155345461051392 |