Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
Досліджено кристали n-кремнію, леговані домішкою фосфору як традиційним металургійним способом (у процесі вирощування через розплав), так і методом ядерної трансмутації (перетворення ізотопів кремнію у процесі захоплення ними теплових нейтронів). Принципова відмінність трансмутаційного легування ві...
Збережено в:
Дата: | 2020 |
---|---|
Автор: | Гайдар, Г.П. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2020
|
Назва видання: | Доповіді НАН України |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/170503 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2020. — № 5. — С. 42-51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2018) -
Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2021) -
Направлена динаміка флюксонів у джозефсонівських контактах під впливом періодичних збурень
за авторством: Золотарюк, Я.О.
Опубліковано: (2011) -
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2019) -
Рентгеноструктурний аналіз поліморфізму оксиду свинцю у полімерній матриці, сформованій під впливом фізичних полів
за авторством: Віленський, В.О., та інші
Опубліковано: (2014)