Элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона
Предложено новое плазмооптическое устройство, представляющее собой элементарную плазмооптическую цилиндрическую ячейку с газовым разрядом магнетронного типа в режиме прямого магнетрона. Устройство может работать в высоковольтном слаботочном режиме и в сильноточном с генерацией плазменного факела. По...
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17298 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона / А.А. Гончаров, А.Н. Добровольский, А.Н. Евсюков, И.М. Проценко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 4. — С. 51-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-17298 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-172982011-02-26T12:03:48Z Элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона Гончаров, А.А. Добровольский, А.Н. Евсюков, А.Н. Проценко, И.М. Нерелятивистская электроника Предложено новое плазмооптическое устройство, представляющее собой элементарную плазмооптическую цилиндрическую ячейку с газовым разрядом магнетронного типа в режиме прямого магнетрона. Устройство может работать в высоковольтном слаботочном режиме и в сильноточном с генерацией плазменного факела. Получена скорость травления (100…150 нм/мин) в слаботочном режиме и на порядок больше в сильноточном. Плотность тока в факеле составляет до 3% от плотности тока разряда и плавающий потенциал − до 0,8 анодного потенциала. Запропоновано новий плазмооптичний пристрій, що є елементарною плазмооптичною циліндричною коміркою з газовим розрядом магнетронного типу в режимі прямого магнетрону. Пристрій може працювати як у високовольтному режимі з малим струмом, так і в режимі з великим струмом з генерацією плазмового факелу. Отримано швидкість травлення 100…150 нм/хв у режимі з малим струмом і на порядок більше у режимі з великим струмом. Щільність струму у плазмовому факелі до 3% від густини струму розряду і плаваючий потенціал − до 0,8 анодного потенціалу. It is offered the new plasmaoptics device that are representing an elementary plasmaoptics cylindrical cell with the gas discharge of magnetron type in a mode of direct magnetron. Such device can work both in a high-voltage low-current mode and in high-current low-voltage with generation of a plasma torch. The measured rate of etching is about 100…150 nm/min in the low-current high-voltage discharge and on the order rises in high-current mode. Density of torch current up to 3% from density of discharge current and the floating potential up to 0,8 from the anode potential are formed. 2010 Article Элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона / А.А. Гончаров, А.Н. Добровольский, А.Н. Евсюков, И.М. Проценко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 4. — С. 51-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17298 533.9 ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Нерелятивистская электроника Нерелятивистская электроника |
spellingShingle |
Нерелятивистская электроника Нерелятивистская электроника Гончаров, А.А. Добровольский, А.Н. Евсюков, А.Н. Проценко, И.М. Элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона |
description |
Предложено новое плазмооптическое устройство, представляющее собой элементарную плазмооптическую цилиндрическую ячейку с газовым разрядом магнетронного типа в режиме прямого магнетрона. Устройство может работать в высоковольтном слаботочном режиме и в сильноточном с генерацией плазменного факела. Получена скорость травления (100…150 нм/мин) в слаботочном режиме и на порядок больше в сильноточном. Плотность тока в факеле составляет до 3% от плотности тока разряда и плавающий потенциал − до 0,8 анодного потенциала. |
format |
Article |
author |
Гончаров, А.А. Добровольский, А.Н. Евсюков, А.Н. Проценко, И.М. |
author_facet |
Гончаров, А.А. Добровольский, А.Н. Евсюков, А.Н. Проценко, И.М. |
author_sort |
Гончаров, А.А. |
title |
Элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона |
title_short |
Элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона |
title_full |
Элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона |
title_fullStr |
Элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона |
title_full_unstemmed |
Элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона |
title_sort |
элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона |
publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
publishDate |
2010 |
topic_facet |
Нерелятивистская электроника |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17298 |
citation_txt |
Элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона / А.А. Гончаров, А.Н. Добровольский, А.Н. Евсюков, И.М. Проценко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 4. — С. 51-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
work_keys_str_mv |
AT gončarovaa élementarnaâplazmooptičeskaââčejkavrežimeprâmogomagnetrona AT dobrovolʹskijan élementarnaâplazmooptičeskaââčejkavrežimeprâmogomagnetrona AT evsûkovan élementarnaâplazmooptičeskaââčejkavrežimeprâmogomagnetrona AT procenkoim élementarnaâplazmooptičeskaââčejkavrežimeprâmogomagnetrona |
first_indexed |
2023-10-18T16:59:42Z |
last_indexed |
2023-10-18T16:59:42Z |
_version_ |
1796140408976179200 |