Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии
Описан отжиг А-центров, дивакансий, А-центров, модифицированных водородом, в n-Si (P ≈ 10^14 см^-3), в отсутствие и при наличии примеси платины, после облучения протонами с энергией 1,8 МэВ. Показано, что энергия активации отжига радиационных дефектов при взаимодействии с водородно-вакансионными деф...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17377 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии / М.Д. Варенцов, Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 5. — С. 27-35. — Бібліогр.: 39 назв. — рос. |