Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация

• Дата: 1997
• Автори: Каширин, В.Ю., Комник, Ю.Ф., Анопченко, А.С., Миронов, О.А., Эмелеус, Ч.Дж., Волл, Т.Э.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Электpонные свойства металлов и сплавов
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175069
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, А.С. Анопченко, О.А. Миронов, Ч.Дж. Змелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 413-419. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Проведено комплексное исследование эффектов слабой локализации электронов, электрон-электронного взаимодействия и эффекта электронного перегрева в кристаллах Si, содержащих δ(SЬ)-слой с различной концентрацией атомов Sb, с целью получения информации о характерных временах неупругой релаксации электр...