Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃
Экспериментально исследовано влияние одноосного сжатия вдоль кристаллографической оси а на ВАХ монокристаллов NbSе₃ в состоянии волн зарядовой плотности (ВЗП) в области температур возникновения второго фазового перехода при 59 К. Показано, что увеличение давления приводит к росту пороговых полей Eth...
Збережено в:
| Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 1996 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175100 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ / Х.Б. Чашка, М.А. Оболенский, В.А. Бычко, В.И. Белецкий // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1200-1204. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |