Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃
Экспериментально исследовано влияние одноосного сжатия вдоль кристаллографической оси а на ВАХ монокристаллов NbSе₃ в состоянии волн зарядовой плотности (ВЗП) в области температур возникновения второго фазового перехода при 59 К. Показано, что увеличение давления приводит к росту пороговых полей Eth...
Збережено в:
| Дата: | 1996 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175100 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ / Х.Б. Чашка, М.А. Оболенский, В.А. Бычко, В.И. Белецкий // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1200-1204. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-175100 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1751002021-01-31T01:26:53Z Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ Чашка, Х.Б. Оболенский, М.А. Бычко, В.А. Белецкий, В.И. Низкоразмерные и неупорядоченные системы Экспериментально исследовано влияние одноосного сжатия вдоль кристаллографической оси а на ВАХ монокристаллов NbSе₃ в состоянии волн зарядовой плотности (ВЗП) в области температур возникновения второго фазового перехода при 59 К. Показано, что увеличение давления приводит к росту пороговых полей Eth срыва ВЗП и увеличению энергии пиннинга εg . Проведено сравнение с существующими моделями туннелирования ВЗП. Експериментально досліджено вплив одновісного стиснення вздовж кристалографічної осі а на ВАХ монокристалів NbSе₃ у стані хвиль зарядової густини (ХЗГ) в області температур виникнення другого фазового переходу при 59 К. Показано, що збільшення тиску призводить до зростання порогових полів Eth зриву ХЗГ та збільшення енергії піннінга εg. Проведено порівняння з існуючими моделями тунелювання ХЗГ. The influence of uniaxial pressure along the crystallographic axis а on l-V characteristics of NbSе₃ single crystals at CDW state has been studied experimentally over the temperature region wherein the second phase transition takes place at 59 К. It is shown that the increasing pressure causes the growth of the threshold fields Eth and pinning energy εg. Comparison between the results obtained and existing CDW tunneling models is made. 1996 Article Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ / Х.Б. Чашка, М.А. Оболенский, В.А. Бычко, В.И. Белецкий // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1200-1204. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 0132-6414 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175100 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Низкоразмерные и неупорядоченные системы Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| spellingShingle |
Низкоразмерные и неупорядоченные системы Низкоразмерные и неупорядоченные системы Чашка, Х.Б. Оболенский, М.А. Бычко, В.А. Белецкий, В.И. Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ Физика низких температур |
| description |
Экспериментально исследовано влияние одноосного сжатия вдоль кристаллографической оси а на ВАХ монокристаллов NbSе₃ в состоянии волн зарядовой плотности (ВЗП) в области температур возникновения второго фазового перехода при 59 К. Показано, что увеличение давления приводит к росту пороговых полей Eth срыва ВЗП и увеличению энергии пиннинга εg . Проведено сравнение с существующими моделями туннелирования ВЗП. |
| format |
Article |
| author |
Чашка, Х.Б. Оболенский, М.А. Бычко, В.А. Белецкий, В.И. |
| author_facet |
Чашка, Х.Б. Оболенский, М.А. Бычко, В.А. Белецкий, В.И. |
| author_sort |
Чашка, Х.Б. |
| title |
Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ |
| title_short |
Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ |
| title_full |
Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ |
| title_fullStr |
Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ |
| title_full_unstemmed |
Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ |
| title_sort |
пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах nbse₃ |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
1996 |
| topic_facet |
Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175100 |
| citation_txt |
Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃ / Х.Б. Чашка, М.А. Оболенский, В.А. Бычко, В.И. Белецкий // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1200-1204. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT čaškahb pinningvolnzarâdovojplotnostivmonokristallahnbse3 AT obolenskijma pinningvolnzarâdovojplotnostivmonokristallahnbse3 AT byčkova pinningvolnzarâdovojplotnostivmonokristallahnbse3 AT beleckijvi pinningvolnzarâdovojplotnostivmonokristallahnbse3 |
| first_indexed |
2023-10-18T22:38:01Z |
| last_indexed |
2023-10-18T22:38:01Z |
| _version_ |
1796156029190275072 |