High-density effects due to interaction of self-trapped exciton with (Ba, 5p) core hole in BaF₂ at low temperature

• Видавець: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
• Дата: 1997
• Автори: Terekhin, M.A., Svechnikov, N.Yu., Tanaka, S., Hirose, S., Kamada, M.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1997
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Письма редактору
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175116
• Цитувати: High-density effects due to interaction of self-trapped exciton with (Ba, 5p) core hole in BaF₂ at low temperature / М.А. Terekhin, N.Yu. Svechnikov, S. Tanaka, S. Hirose, and М. Кamada // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 473-475. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

The effect of VUV undulator excitation intensity on the emission shape and decay time of BaF₂ crystal at low temperature has been observed. The findings are explained in terms of quenching of Auger-free luminescence (cross luminescence) by self-trapped exciton via Förster mechanism energy transfer....