High-density effects due to interaction of self-trapped exciton with (Ba, 5p) core hole in BaF₂ at low temperature
The effect of VUV undulator excitation intensity on the emission shape and decay time of BaF₂ crystal at low temperature has been observed. The findings are explained in terms of quenching of Auger-free luminescence (cross luminescence) by self-trapped exciton via Förster mechanism energy transfer....
Збережено в:
| Дата: | 1997 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175116 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | High-density effects due to interaction of self-trapped exciton with (Ba, 5p) core hole in BaF₂ at low temperature / М.А. Terekhin, N.Yu. Svechnikov, S. Tanaka, S. Hirose, and М. Кamada // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 4. — С. 473-475. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |