Исследование кинетики роста граней свободно растущего кристалла ⁴Не

Изучен рост свободного кристалла ⁴Не в температурном интервале от 0,5 до 1,5 К и отклонениях от давления фазового равновесия до 1 000 дин/см². Разработан метод выращивания кристаллов гелия с минимальным количеством дефектов. Анизотропия кинетического коэффициента роста кристалла измерена непосредств...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1995
Автор: Цымбаленко, В.Л.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
Назва видання:Физика низких температур
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175164
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Исследование кинетики роста граней свободно растущего кристалла ⁴Не / В.Л. Цымбаленко // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 2. — С. 162-172. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine